-
1 КМОП-структура
(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)КМОП-структура, К-МОП, комплементарная логика на транзисторах металл-оксид- полупроводникТехнология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной (n и p) проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний). -
2 isolated-gate mos
English-Russian dictionary of microelectronics > isolated-gate mos
-
3 buried-channel mos
English-Russian big polytechnic dictionary > buried-channel mos
-
4 dielectric-isolated mos
English-Russian big polytechnic dictionary > dielectric-isolated mos
-
5 isolated-gate mos
MOS design — МОП-структура; МОП-прибор
English-Russian big polytechnic dictionary > isolated-gate mos
-
6 complementary mos
English-Russian big polytechnic dictionary > complementary mos
-
7 insulated gate MOS
-
8 IGMOS
insulated gate MOS - МОП-структура с изолированным затвором -
9 metal-insulator-oxide-semiconductor
Универсальный англо-русский словарь > metal-insulator-oxide-semiconductor
-
10 MIOS
1. metal-insulator-oxide-semiconductor - МОП-структура с изолированным металлическим затвором;2. modular input/output system - модульная система ввода-вывода -
11 CMOS
(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)КМОП-структура, К-МОП, комплементарная логика на транзисторах металл-оксид- полупроводникТехнология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной (n и p) проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний).
См. также в других словарях:
МОП-структура с изолированным затвором — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
КМОП-структура — CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) КМОП структура, К МОП, комплементарная логика на транзисторах металл оксид полупроводник Технология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
MOP darinys su izoliuotąja užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à grille isolée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit isoliertem Gate — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated-gate MOS — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated-gate MOS structure — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grille isolée — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
IGBT — Условное графическое обозначение IGBT. IGBT, БТИЗ (от англ. Insulated gate bipolar transistor … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия